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财联社4月24日讯（编辑 夏军雄）当地时间周三（4月24日），韩国存储芯片巨头SK海力士宣布，计划在韩国投资5.3万亿韩元（合38.6亿美元），用于建设一座新的动态随机存取存储器（DRAM）芯片生产基地。

据SK海力士介绍，该公司计划于4月底开始建造工厂，预计将在2025年11月前实现量产。

SK海力士在声明中称，包括计划逐步增加的投资在内，新生产基地的长期投资总额预计将超过20万亿韩元（合146亿美元）。该公司计划在现有的清州生产基地附近建立新工厂。

据悉，新生产基地旨在提高DRAM的产能，重点是高带宽内存（HBM）芯片。

SK海力士预测，HBM芯片市场的年增长率将超过60%，尽管随着数据中心的不断增加，普通DRAM的销量也在稳步上升。

SK海力士在韩国的投资还包括龙仁半导体产业园区等，长期投资规模约为120万亿韩元（合873亿美元）。

此外，SK海力士还计划斥资39亿美元在美国印第安纳州建立先进的封装工厂和人工智能（AI）产品研究中心。

由于芯片行业低迷，SK海力士去年削减了50%的年度投资，并在10月份表示，2024年的投资增幅将保持在最低水平。

尽管SK海力士对投资持谨慎态度，但该公司同时表示，市场对HBM芯片的需求量非常大，其今年和明年大部分时间的产能已被预订一空。

去年12月，SK海力士成为韩国市值第二高的公司，其股价今年又上涨了27%，因为投资者押注AI和IT行业的复苏将使市场摆脱长达数年的低迷。